Neutronendotierung (Halbleitertechnik)

Verfahren zur Dotierung von Silicium mit Phosphor durch Bestrahlung reinen Siliciums mit Neutronen. Dabei geht das mit einer Häufigkeit von 3 % vorkommende Isotop ³⁰Si in ³¹Si über und zerfällt anschließend in das stabile ³¹P. Der Dotierungsverlauf durch Neutronendotierung ist durch hohe Homogenität ausgezeichnet. Die Neutronendotierung wird besonders für Hochleistungsbauelemente