Phasenwechselspeicher
Phasenwechselspeicher, Phasenwechsel-RAM, Phase-change RAM, Abk. PRAM, Phase-change Memory, Abk. PCM,
seit den 1970er-Jahren entwickelte nicht flüchtige Speicherbausteine auf der Basis von Phasenwechselmaterialien. Solche Materialien bestehen aus Verbindungen von Chalkogenen wie Selen und Tellur mit Elementen wie Antimon, Germanium, Silber und Indium, also z. B. GeTe, und werden z. B. bei wiederbeschreibbaren CDs, DVDs und Blu-rays eingesetzt. Erhitzt man Phasenwechselmaterialien auf
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