Rastertunnelmikroskop
Rastertunnelmikroskop, Abkürzung RTM, englisch STM [von scanning tunnel microscope], Tunnelmikroskop,
von G. Binnig und H. Rohrer (1982) entwickeltes Instrument zur Feinuntersuchung der Oberflächen von Leitern und Halbleitern mit atomarer Auflösung durch Anwendung des Tunneleffekts. Hierzu wird eine elektrisch leitende feine Prüfspitze über das Untersuchungsobjekt gefahren (Rastermikroskope). Aufgrund des geringen (atomaren) Abstandes zwischen Spitze und Oberfläche werden Elektronen ausgetauscht. Die Größe des
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