ein 1980 von K. von Klitzing (Nobelpreis für Physik 1985) entdeckter Effekt, der bei tiefen Temperaturen (< 1 K) und hohen magnetischen Flussdichten (etwa 10 T) in quasi-zweidimensionalen Elektronensystemen, z. B. im Kanal von MOS-Feldeffekttransistoren (MOSFET), auftritt. Die Elektronen befinden sich dabei in einer nur wenige Atomlagen dicken Halbleiterschicht, sodass sie sich