eine elektrische Potenzialdifferenz (U_D), die an einem Halbleiter-p-n-Übergang infolge unterschiedlich starker Diffusion von Ladungsträgern verschiedenen Vorzeichens und Ausbildung von Raumladungen unterschiedlicher Dichte entsteht: Sie verhindert beim Fehlen äußerer Spannung im Gleichgewicht eine weitere oder unterschiedlich starke Diffusion der Ladungsträger durch die Sperrschicht. Die von der Dotierung der Halbleitergebiete mit Akzeptoren