CVD-Verfahren
CVD-Verfahren, Abkürzung für Chemical vapor deposition [ˈkemɪkl ˈveɪpə depəˈzɪʃn, englisch], chemische Gasphasenabscheidung,
im engeren Sinn die Erzeugung verschleiß- und korrosionsschützender Schichten auf Werkstücken oder von Dotanten auf Halbleiteroberflächen durch chemische Abscheidung aus der Gasphase bei Temperaturen zwischen 500 und 1 100 °C, vorzugsweise zwischen 800 und 1 000 °C. Abgeschieden werden v. a. Titancarbid, Titannitrid, Chromcarbid, Eisenboride. CVD-Schichten aus Titancarbid verlängern die
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