Elektronische Bauelemente aus Halbleitern
Setzt man Schichten aus einem n-dotierten und einem p-dotierten Halbleiter aneinander (p-n-Übergang), so kombinieren sich die überschüssigen Elektronen und Löcher der beiden Materialien in einer Grenzschicht. Dadurch entsteht eine Zone ohne freie Ladungsträger (Verarmungsschicht). Legt man nun eine elektrische Spannung an, so wird diese Zone entweder größer – dann fließt kein
Informationen zum Artikel
Mitwirkende
Ulrike Klein
Quellenangabe