Zener-Effekt
Zener-Effekt [nach dem amerikanischen Physiker Clarence Melvin Zener, * 1905, † 1993],
bei hoch dotierten, genügend hoch in Rückwärtsrichtung (Sperrrichtung) vorgespannten p-n-Übergängen (bei Siliciumdioden etwa zwischen 2 und 6,5 V) das Übertreten von Elektronen aus dem Valenzband des p-dotierten Bereichs in das Leitungsband des n-dotierten Bereichs durch Tunneleffekt. Durch den Zener-Effekt kommt es zu einem hohen Strom in Rückwärtsrichtung (Zener-Strom). Der
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