Tunneldiode (Halbleitertechnik)

Diode aus hoch dotiertem Halbleitermaterial (mehr als etwa 10¹⁹ bis 10²¹ Fremdatome pro cm³), bei der die Raumladungszone (p-n-Übergang) so schmal ist, dass sie von den Ladungsträgern überwunden (durchtunnelt) werden kann. Die hohe Dotierung führt dazu, dass die Fermi-Energie (Fermi-Niveau) nicht in der Bandlücke, sondern im Valenzband des