p-n-Übergang (Halbleitertechnik)

das Übergangsgebiet oder die Grenzschicht zwischen einem p-leitenden und einem n-leitenden Bereich in einem Halbleiter. Das starke Konzentrationsgefälle der Ladungsträger an der Grenze bewirkt, dass einige Löcher in den n-leitenden und einige Elektronen in den p-leitenden Bereich diffundieren und dort mit den Majoritätsladungsträgern rekombinieren. Da die Akzeptoren und Donatoren, die