ESFI-Technik (Halbleitertechnologie)
ESFI-Technik [ESFI, Abkürzung für Epitaxialer Siliciumfilm auf (einem) Isolator], Halbleitertechnologie:
Verfahren zur Herstellung von monolithisch integrierten Schaltungen in MOS-Technik, bei dem die integrierten Transistoren in einer dünnen Siliciumschicht, die auf einem nicht leitenden Substrat (Isolator) aufgebracht ist, erzeugt werden. Sie besitzen im Vergleich zu den in herkömmlicher CMOS-Technik hergestellten Bauelementen eine bessere Isolation gegenüber anderen Teilen der Schaltung, kleinere parasitäre
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