ein Trockenätzverfahren für die Strukturübertragung auf Halbleiterbauelemente, bei dem ein »Parallelplattenreaktor« als Rezipient verwendet wird. Die Elektroden, die die zu ätzenden Halbleiterscheiben (Wafer) tragen, liegen beim Plasmaätzen, anders als beim reaktiven Ionenätzen, zusammen mit dem Rezipienten auf Erdpotenzial. Die hierauf beruhende Feldasymmetrie bewirkt, dass die Ionen aus der Gasentladung mit geringerer