MMIC

mit Verfahren der Halbleiterblocktechnik hergestellte monolithisch integrierte Mikrowellenschaltung. Als Substrat wird in der Regel Galliumarsenid benutzt, das bessere Höchstfrequenzeigenschaften besitzt als Siliciumsubstrate. Aktive Bauelemente sind v. a. GaAs-MESFETS und Schottky-Dioden; als Verbindung dienen Mikrostreifenleitungen. MMIC werden insbesondere für Leistungsverstärker (bis 18 GHz), rauscharme Breitbandverstärker (bis 26 GHz), Oszillatoren (bis 13