ein Feldeffekttransistor mit künstlicher Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz-Halbleiterbauelemente. Beim HEMT ist der Kanal undotiert, sodass die Elektronen im Kanal eine hohe Beweglichkeit aufweisen. Die Ladungsträger werden von den Donatoren der n-dotierten Schicht geliefert und bilden eine dünne Schicht Leitungselektronen hoher Konzentration (zweidimensionales Elektronengas). HEMT eignen sich für Gigabitanwendungen. Sie