Drifttransistor, ein Bipolartransistor mit einer von der Emitter- zur Kollektorseite hin abnehmenden Störstellenkonzentration, wodurch ein die Ladungsträger beschleunigt durch die Basiszone treibendes elektrisches Feld erzeugt wird. Drifttransistoren besitzen wegen der geringeren Laufzeiten eine höhere obere Grenzfrequenz als Diffusionstransistoren.