Unijunction-Transistor

Unijunction-Transistor [juːnɪˈdʒʌnkʃn-; englisch], Doppelbasisdiode,

ein in seinem Aufbau dem JFET (Feldeffekttransistor) ähnelnder unipolarer Transistor mit nur einem p-n-Übergang. In ein schwach n-leitendes Gebiet mit zwei metallischen Endkontakten (Basis 1 und Basis 2) ist unsymmetrisch zu diesen eine als Emitter bezeichnete p-leitende Zone eingebracht. Bei einer bestimmten Durchbruchspannung schaltet die Diode durch, die von der

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