Neutronendotierung (Halbleitertechnik)
Neutronendotierung, Halbleitertechnik:
Verfahren zur Dotierung von Silicium mit Phosphor durch Bestrahlung reinen Siliciums mit Neutronen. Dabei geht das mit einer Häufigkeit von 3 % vorkommende Isotop 30Si in 31Si über und zerfällt anschließend in das stabile 31P. Der Dotierungsverlauf durch Neutronendotierung ist durch hohe Homogenität ausgezeichnet. Die Neutronendotierung wird besonders für Hochleistungsbauelemente
Quellenangabe