1) ein Bipolartransistor, bei dem die drei verschieden dotierten Bereiche durch Eindiffusion von Störstellenatomen hergestellt wurden (Dotierung); 2) ein Bipolartransistor, bei dem der Strom der Ladungsträger durch die Basisschicht (im Gegensatz zum Drifttransistor) nur durch Diffusion der Ladungsträger (ohne elektrisches Feld) bewirkt wird; dazu muss in der Basiszone die