reaktives Ionenätzen (Halbleitertechnik)

ein dem Plasmaätzen verwandtes Trockenätzverfahren, bei dem im Gegensatz zu diesem die zu ätzenden Halbleiterscheiben (Wafer) auf der unteren Platte des Parallelplattenrezipienten (Rezipient) liegen, in die auch die Hochfrequenzspannung eingekoppelt wird, während die obere Platte mit dem Rezipienten auf Erdpotenzial liegt. Durch die hierauf beruhende Feldasymmetrie werden die positiven