MESFET
MESFET [englisch; Abkürzung für metal semiconductor field effect transistor »Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor«],
ein Sperrschicht-FET (Feldeffekttransistor), sowohl als diskretes als auch als integriertes Bauelement, dessen Sperrschicht durch einen Metall-Halbleiter-Kontakt (Schottky-Kontakt) gebildet wird. MESFETs werden v. a. auf Galliumarsenidbasis hergestellt und als Mikrowellentransistoren sowie für sehr schnelle Logikschaltungen (Gigabitlogik) verwendet. Zusammen mit Schottky-Dioden sind sie Grundlage der MESFET-Technik, die die Realisierung sehr
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