Das Einbringen der Phosphor- und Aluminiumatome in einen Siliziumwafer, die Dotierung, belastet den Wafer ebenfalls erheblich. Zunächst werden die Wafer und Phosphoroxychlorid auf 800 bis 900 Grad Celsius erhitzt. Dabei entstehen Phosphoratome, die 200 oder 300 Nanometer weit in das Silizium eindringen. Hierbei muss der Hersteller jedoch einen Kompromiss eingehen: