CDI-Verfahren
CDI-Verfahren, [Abkürzung für englisch collector diffusion isolation], Kollektordiffusionsisolation,
ein Verfahren der Bipolartechnik zur Herstellung von Transistoren sowie von integrierten Schaltkreisen mit Sperrschichtisolation. In ein p-leitendes Substrat wird eine »vergrabene n+-Schicht« als Kollektorbahn eindiffundiert und darüber eine p-Schicht durch Epitaxie aufgebracht; diese wird durch Eindiffusion von n-Material bis hin zur vergrabenen Schicht so unterbrochen, dass sich isolierte p-Inseln bilden,
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