VMOS-Technik

Variante der MOS-Technik (V = Abkürzung von englisch vertical) zur Herstellung von Feldeffekttransistoren, bei denen der wirksame Strompfad (Kanal) nicht in horizontaler Lage zwischen den Elektroden Source und Drain liegt, sondern aufgrund der modifizierten Geometrie vertikal gerichtet ist. Der v-förmige Einschnitt teilt den Kanal in zwei sehr kurze, elektrisch