MNOSFET

MNOSFET [Abkürzung von englisch metal nitride oxide semiconductor field effect transistor, »Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor«],

ein Feldeffekttransistor in MIS-Technik (MISFET) mit Speichereigenschaften; seine Bezeichnung beruht auf der Isolierung der Gate-Elektrode durch eine Siliciumnitrid-Siliciumoxid-Doppelschicht. Durch entsprechende Spannungsimpulse am Gate können Ladungen in die Grenzfläche zwischen den beiden Isolierschichten eingebracht beziehungsweise aus ihr entfernt werden. Da eine Ladung zwischen den Isolierschichten die Kanalbildung beeinflusst, kann durch sie

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