integriertes Halbleiterbauelement, das eingangsseitig aus einem MOS-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET) und ausgangsseitig aus einem Bipolartransistor besteht; dabei ist die Drainzone des IGFET gleichzeitig die Basiszone des als Emitterfolger geschalteten Bipolartransistors. Der BIGFET hat einen sehr hohen Eingangswiderstand und liefert einen hohen Ausgangsstrom.