schmaler Bereich im Kristallgitter eines Halbleiters, in dem Ladungsträger einer Art (z. B. Elektronen) überwiegen und sich eine entsprechende Raumladung ansammelt. Anreicherungsschichten bilden sich v. a. an den Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Halbleitermaterialien als Folge ihrer verschiedenen Elektronenaustrittsarbeiten aus. Der elektrische Widerstand in der Grenzschicht wird dadurch herabgesetzt.